半導体用ウェーハのお問い合わせは是非当社へ。

「各種加工」

「バックグラインダー加工」

5インチから12インチまで対応可能。
仕上げ厚さ、5インチと6インチは200umまで、 8インチと12インチは300umまで対応可能。

「ウェーハサイズダウン加工」

12インチ、8インチ、6インチのウェーハからサイズダウンして4インチウェーハなどを作成することが可能です。

「ウェーハ薄化加工」

シリコンウェーハの薄化加工が可能です。
100um以下等に薄くできます。テープとリングを付けた状態での使用であれば数ミクロンまでの薄化加工が可能です。

「ダイシング加工」

直径：2インチから12インチまで対応可能。
厚さ：20um-100um程度まで加工可能。
チップサイズは0.1-0.3�o角程度まで可能。短冊状など特殊な形状も対応可能。

1枚のウェーハから数種類のサイズのチップを切り出すことも可能です。

ダイシングフレーム・グリップリング・フロストキャリア等もお取り扱い可能です。
シリコンウェーハ以外にもSiC、石英、サファイアなど加工可能です。

「レーザーマーキング」

ウェーハを御支給いただきレーザーマークの加工をすることも可能です。

「RCA洗浄」

ウェーハの洗浄のみでも対応可能です。

「汚染分析」

御支給いただいたウェーハの汚染分析を行うことが可能です。

「円筒研削加工能力」

	項　　　目	寸　　　法	精　　　度
1	インゴット仕上げ直径	φ70mm〜φ330mm	±0.05mm
2	インゴット素材長さ	最大長 600mm
3	オリフラ長	最大 60mm	±2.00mm
4	ノッチ深さ	最大 3mm	±0.25mm
5	ノッチ加工可能長さ	最大 340mm

	項　　　目	寸　　　法	精　　　度
1	円柱加工	φ5〜φ100mm×L50mm	±0.03mm
2	円柱内面研磨	φ5〜φ50mm×L50mm	±0.03mm

備考： 仕上げ表面粗さ SD#300 Ra0.37〜0.75(μm)

「平面研磨 加工能力」

	項　　　目	寸　　　法	精　　　度
1	最大加工寸法	Ｌ500mm×Ｄ300mm×Ｈ215mm	±0.03mm
2	最小加工寸法	Ｌ 20mm×Ｄ　20mm×Ｈ 　2mm	±0.03mm

備考： 仕上げ表面粗さ SD#300 Ra0.37〜0.75(μm) SD#500 Ra0.09〜0.17(μm)

「穴明け・特殊形状加工」

	項　　　目	寸　　　法	精　　　度
1	穴明け加工寸法	φ0.5mm〜φ4.0mm	±0.03mm
2	ポケット　ザグリ	φ5mm〜可能　　深さ10mm迄	±0.03mm
3	最大加工寸法　（円柱）	φ320mm×Ｈ200mm
4	最大加工寸法　（角柱）	Ｌ320mm×Ｄ320mm×Ｈ200mm

「切断」

粗加工

	項　　　目	寸　　　法	精　　　度
1	素材最大径	φ340mm
2	切断長さ（厚さ）	2mm〜420mm	±0.2mm
3	角切り	L350mm×D350mm×Ｈ390mm	±0.2mm

精密加工

	項　　　目	寸　　　法	精　　　度
1	素材最大径	φ200mm
2	切断長さ（厚さ）	0.6mm〜5mm	±0.05mm

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「ラップ」

	項　　　目	寸　　　法	精　　　度
1	加工寸法丸材	φ100mm〜φ200mm　厚さ8mm迄	±0.02mm
2	加工寸法角材	□6.0mm〜□140mm	±0.02mm

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「Si　材、石英材の切り出し、溝入れ加工」

	項　　　目	寸　　　法(単位mm)	精　　　度
1	加工寸法　切り出し	W230×D900×t50　□	±0.5mm
2	加工寸法　溝入れ	W230×D900×t50　溝入れ幅1〜10mm	±0.5mm

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「Si　材コア抜き」

	項　　　目	寸　　　法	精　　　度
1	加工寸法　丸材	φ210mm×L100mm	±0.5mm
2	加工寸法　角材	□210mm×L100mm	±0.5mm

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