半導体用ウェーハのお問い合わせは是非当社へ。

「FZシリコンウェーハ」

FZシリコンは汚染物質の少なさから、既存のメモリーやDSPなどのICのみならず、パワーデバイス、MEMSやオプトセンサ分野にも幅広く使用されております。
製法はノンドープ、ガスドープ、中性子照射品などがあり、高ライフタイム、低酸素・低炭素濃度が特徴です。

直径：30mmから8インチ
抵抗：0.1 ohm cm程度から10K ohm cm 以上
方位：<100>、<111>
タイプ：p型、n型
仕上げ：ご相談ください
厚さ：ご相談ください
酸素濃度：2x10¹⁶atoms/cm³以下
炭素濃度：2x10¹⁶atoms/cm³以下
ライフタイム：ご相談ください

＊半球状など様々な形にも加工可能です。


＊ノンドープFZ:高抵抗シリコンでディテクター、センサー等に用いられています。またRFデバイスに求められている低損失、高効率の実現が可能です。抵抗値は1,000〜15,000Ωcm程度。

＊ガスドープドFZ:シリコン単結晶の引き上げをドーパントガス中で行なう事によって、不純物をドーピングした FZシリコンです。中耐圧のパワーデバイス等に用いられています。抵抗値は0.1〜15,000Ωcm程度。

＊NTD-FZシリコン:(中性子照射シリコン）：抵抗率の均一性に優れ、電力用サイリスタ（シリコン制御整流器）として半導体パワーデバイスとして一般産業分野から家電分野まで広く利用されております。抵抗値は30-600 ohm cm程度。

＊FCZ:(CZインゴットを使用し製造されたFZシリコン)抵抗値は0.01〜50Ωcm程度。


在庫ご紹介

Prime Grade FZ ingot

下記の在庫FZインゴットは即納可能です。納品時にはCofCを添付いたします。
必要な長さへのカットや特殊な形状への加工、ウェーハへの加工も可能ですのでお問い合わせください。

Specification
Ingot finish : as ground
Ingot orientation : (1-1-1) ± 2 deg.
Ingot diameter (mm) : 101,60 ± 0,20
Ingot length (mm) : 200 - 400
Flat primary (mm) : 30,5 - 34,5 (1-10) +/- 1 Deg.
Flat secondary (mm) : N.A.
Doping : N-type/Phosphorous
Lifetime (microsec) : 1000
Resistivity target (ohm cm) 25°C. : 2032,00
Resistivity tolerance (ohm cm) : ±700,00
RRV [%] : N.A.

Ingot List
No.37 : 長さ約223mm,　重さ約4.18kg
No.38 : 長さ約280mm,　重さ約5.26kg
No.39 : 長さ約282mm,　重さ約5.28kg
No.40 : 長さ約400mm,　重さ約7.48kg
No.41 : 長さ約394mm,　重さ約7.36kg
No.15 : 長さ約298mm,　重さ約5.58kg
No.88 : 長さ約208mm,　重さ約3.90kg