「エピウェーハ」
1. ディスクリートデバイス向けSilicon epitaxial wafers: power MOSFET, SBD, IGBT, FRD,
TVS など
2. IC powerデバイス向けBuried layer epitaxial wafers: BCD, Bipolar. など
主な仕様
＊直径: 100-200 mm
＊Epi層ドーパント: Boron 、Phosphorous
＊Epi層抵抗値: 0.01-500 Ω/cm
＊Epi厚: 1-150 um
＊Stacking fault: 10 /cm2 以下
＊Thickness Uniformity: 1%
＊Resistivity Uniformity: 2.5%(抵抗0.1-20 Ohm.cm) / 3%(抵抗>20 Ohm.cm)
＊数量は25枚から対応可能です。
「エピ受託加工」
エピの受託加工を承っております。
小ロットからの対応も致しますので、MEMSの試作にもお使いいただけます。
1000ohm cmを超えるようなEpi抵抗の高いウェーハや、Epi層が厚いウェーハなども対応させていただきます。
仕様により多層エピ成膜なども対応可能です。
特 徴
・実験用に小ロット（数枚〜25枚）から可能
・サブウェーハご指定も可能（お客様よりサブウェーハを支給していただく事も可能です）
・エピ厚さ公差：6-10%以内 (エピ厚さにより変わります）
・抵抗均一性公差：5-15%以内 (抵抗により変わります）
直 径：3インチから8インチ
ドーパント：Boron, Phosphine, Arsenic
エピ抵抗率：0.1-1000 ohm cm程度 (それ以上の抵抗はお問い合わせください。）
エピ厚さ：3-150μ (条件により200um程度も可能です。）
「多層EPIウェーハ加工」
＊材料支給も対応可能です。
＊数枚から加工可能です。
＊基板Si/GaN/InPなど数層積むことも可能です。
＊膜厚等の仕様によりバッファー層の有無なども違って参りますのでお問い合わせください。
「SiGe Epiウェーハ」
＊濃度と膜厚によりますが様々に対応可能です。
＊直径はMAX8インチまで対応可能です。
＊Ge濃度：20%, 60%などご希望の濃度をご指定下さい
＊基板にSiやSOIも使用可能です。
「化合物半導体エピウェーハ」
＊MOCVDにて、直径は2, 3, 4, 6inchの成膜が可能です。
＊膜厚は薄いものから20umの厚膜まで、エピ膜の濃度は2E14/cm3以下のノンドープまで仕様によって対応可能です。
GaAs基板を支持基板にした例：AlGaAs/GaAs, GaAsP/GaAs, InGaAs/AlGaAs/GaAs, InAs/GaAs,
AlGaAs/GaAs
InP基板を支持基板にした例：InGaAsP/InP, InGaAs/InP, InGaAsP/InP, InAlGaAs/InP, InAlAs/InGaAs/InP