半導体用ウェーハのお問い合わせは是非当社へ。

「SOS(Silicon-on-Sapphire)ウェーハ」

サファイア基板の上にシリコンをエピタキシャル成長させたウェーハです。
圧力センサーなど様々なデバイスに使用されています。
また放射線に対して耐性が高いのも特徴の一つです。

弊社では3インチ(76mm)、4インチ(100mm)、6インチ(150mm)のSOSウェーハをご紹介可能です。仕様によりますが8インチも対応可能です。
Epi層のドーパントはPhosphorousまたは Boronになります。

主な仕様は下記になります。

直径	標準Epi厚 (um)	標準Epi抵抗 (ohm cm)	基板	基板方位
150�o	0.3	>30	サファイアR面	(1012) +/- 1度
100�o	0.3  /  0.6	>30 / 5-30 / 2.5-10	サファイアR面	(1012) +/-1度
76�o	0.6÷2	0.003÷0.025	サファイアR面	(1012) +/-1度

パラメーター		100�o		150�o
Epi厚	公差 um (%)	0.06 (10%)	0.03 (10%)	0.03 (10%)
	面内均一性 um (%)	0.09 (15%)	0.05 (16.7%)	0.05 (16.7%)
UVR (Ultraviolet reflectance)		≦0.75	≦1.0	≦1.0
パーティクル@>2um (pcs/sq cm)		≦10	≦3	≦3

少量から対応可能ですので是非お問い合わせください。

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