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「FZシリコンウェーハ」

FZシリコンは汚染物質の少なさから、既存のメモリーやDSPなどのICのみならず、パワーデバイス、MEMSやオプトセンサ分野にも幅広く使用されております。
製法はノンドープ、ガスドープ、中性子照射品などがあり、高ライフタイム、低酸素・低炭素濃度が特徴です。

直径:30mmから8インチ
抵抗:0.1 ohm cm程度から10K ohm cm 以上
方位:<100>、<111>
タイプ:p型、n型
仕上げ:ご相談ください
厚さ:ご相談ください
酸素濃度:2x1016atoms/cm3以下
炭素濃度:2x1016atoms/cm3以下
ライフタイム:ご相談ください

*半球状など様々な形にも加工可能です。


*ノンドープFZ:高抵抗シリコンでディテクター、センサー等に用いられています。またRFデバイスに求められている低損失、高効率の実現が可能です。抵抗値は1,000〜15,000Ωcm程度。

*ガスドープドFZ:シリコン単結晶の引き上げをドーパントガス中で行なう事によって、不純物をドーピングした FZシリコンです。中耐圧のパワーデバイス等に用いられています。抵抗値は0.1〜15,000Ωcm程度。

*NTD-FZシリコン:(中性子照射シリコン):抵抗率の均一性に優れ、電力用サイリスタ(シリコン制御整流器)として半導体パワーデバイスとして一般産業分野から家電分野まで広く利用されております。抵抗値は30-600 ohm cm程度。

*FCZ:(CZインゴットを使用し製造されたFZシリコン)抵抗値は0.01〜50Ωcm程度。








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