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半導体用ウェーハのお問い合わせは是非当社へ。

TEL. 03−3262-4296

〒101-0051 東京都千代田区神田神保町3-25

サービス/製品一覧SERVICE&PRODUCTS

「エピウェーハ」

1. ディスクリートデバイス向けSilicon epitaxial wafers: power MOSFET, SBD, IGBT, FRD, TVS など
2. IC powerデバイス向けBuried layer epitaxial wafers: BCD, Bipolar. など

主な仕様
*直径: 100-200 mm
*Epi層ドーパント: Boron 、Phosphorous
*Epi層抵抗値: 0.01-500 Ω/cm
*Epi厚: 1-150 um
*Stacking fault: 10 /cm2 以下
*Thickness Uniformity: 1%
*Resistivity Uniformity: 2.5%(抵抗0.1-20 Ohm.cm) / 3%(抵抗>20 Ohm.cm)
*数量は25枚から対応可能です。


「エピ受託加工」

エピの受託加工を承っております。
小ロットからの対応も致しますので、MEMSの試作にもお使いいただけます。
1000ohm cmを超えるようなEpi抵抗の高いウェーハや、Epi層が厚いウェーハなども対応させていただきます。
仕様により多層エピ成膜なども対応可能です。

特 徴
・実験用に小ロット(数枚〜25枚)から可能 
・サブウェーハご指定も可能(お客様よりサブウェーハを支給していただく事も可能です)
・エピ厚さ公差:6-10%以内 (エピ厚さにより変わります)
・抵抗均一性公差:5-15%以内 (抵抗により変わります)

直 径:3インチから8インチ
ドーパント:Boron, Phosphine, Arsenic
エピ抵抗率:0.1-1000 ohm cm程度 (それ以上の抵抗はお問い合わせください。)
エピ厚さ:3-150μ (条件により200um程度も可能です。)

「多層EPIウェーハ加工」

*材料支給も対応可能です。
*数枚から加工可能です。
*基板Si/GaN/InPなど数層積むことも可能です。
*膜厚等の仕様によりバッファー層の有無なども違って参りますのでお問い合わせください。

「SiGe Epiウェーハ」

*濃度と膜厚によりますが様々に対応可能です。
*直径はMAX8インチまで対応可能です。 
*Ge濃度:20%, 60%などご希望の濃度をご指定下さい
*基板にSiやSOIも使用可能です。

「化合物半導体エピウェーハ」

*MOCVDにて、直径は2, 3, 4, 6inchの成膜が可能です。
*膜厚は薄いものから20umの厚膜まで、エピ膜の濃度は2E14/cm3以下のノンドープまで仕様によって対応可能です。

GaAs基板を支持基板にした例:AlGaAs/GaAs, GaAsP/GaAs, InGaAs/AlGaAs/GaAs, InAs/GaAs, AlGaAs/GaAs
InP基板を支持基板にした例:InGaAsP/InP, InGaAs/InP, InGaAsP/InP, InAlGaAs/InP, InAlAs/InGaAs/InP




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