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半導体用ウェーハのお問い合わせは是非当社へ。

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サービス/製品一覧SERVICE&PRODUCTS

「化合物半導体ウェーハ」

化合物半導体ウェーハも各種取り扱っております。

*シリコンゲルマニウムエピ(SiGe Epi) :シリコン基板やSOI基板上にシリコンゲルマエピ(Ge含有率20-60%)も可能です。
 
*ゲルマニウムエピ(GeEpi):4インチ、6インチ、8インチ 基板にSOIを使用することも可能です。 

*ガリウムヒ素(GaAs):2インチから6インチ

*ガリウム燐(GaP):2インチ

*インジウム燐(InP):3インチ、4インチ対応可能。3インチ:CC範囲:0.8〜4E18p3、EPD500以下/cm2

*インジウムアンチモン(InSb):2インチ

*酸化亜鉛(ZnO):サイズ20mm x 20mm、10mm x 10mm、5mm x 5mm等

*酸化マグネシウム(MgO):2インチ

*インジウムヒ素(InAs):2インチ

*ガリウムアンチモン(GaSb):2インチから4インチ

*ナイトライドエピ(Nitride EPI):4インチから8インチ

*テルル化亜鉛カドミウム(CdZnTe):2インチから4インチ

*ガリウムインジウム燐(GaInP):2インチから6インチ

その他:GaAlAs、LaAlO3、Al2O3、LAO、LiNbO3、 CdTe、LiTaO3、LN、ZnSe 等


化合物半導体エピウェーハ

MOCVDにて、直径は2, 3, 4, 6inchの成膜が可能です。
膜厚は薄いものから20umの厚膜まで、エピ膜の濃度は2E14/cm3以下のノンドープまで仕様によって対応可能です。

GaAs基板:AlGaAs/GaAs, GaAsP/GaAs, InGaAs/AlGaAs/GaAs, InAs/GaAs, AlGaAs/GaAs
InP基板:InGaAsP/InP, InGaAs/InP, InGaAsP/InP, InAlGaAs/InP, InAlAs/InGaAs/InP





バナースペース

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