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「SOS(Silicon-on-Sapphire)ウェーハ」

サファイア基板の上にシリコンをエピタキシャル成長させたウェーハです。
圧力センサーなど様々なデバイスに使用されています。
また放射線に対して耐性が高いのも特徴の一つです。

弊社では3インチ(76mm)、4インチ(100mm)、6インチ(150mm)のSOSウェーハをご紹介可能です。仕様によりますが8インチも対応可能です。
Epi層のドーパントはPhosphorousまたは Boronになります。

主な仕様は下記になります。

直径 標準Epi厚 (um) 標準Epi抵抗 (ohm cm) 基板 基板方位
150o 0.3 >30 サファイアR面 (1012) +/- 1度
100o 0.3  /  0.6 >30 / 5-30 / 2.5-10 サファイアR面 (1012) +/-1度
76o 0.6÷2 0.003÷0.025 サファイアR面 (1012) +/-1度


パラメーター 100o
150o
Epi厚 公差 um (%) 0.06
(10%)
0.03
(10%)
0.03
(10%)
面内均一性 um (%) 0.09
(15%)
0.05
(16.7%)
0.05
(16.7%)
UVR (Ultraviolet reflectance) ≦0.75 ≦1.0 ≦1.0
パーティクル@>2um (pcs/sq cm) ≦10 ≦3 ≦3


少量から対応可能ですので是非お問い合わせください。




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